Tensile strained island growth at step-edges on GaAs(110)
Tensile strained island growth at step-edges on GaAs(110)
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GaAs(110) 阶梯边缘处的拉伸应变岛生长
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Simmonds;M. Lee
本文报道了在GaAs（110）表面生长的拉伸应变GaP岛.三维岛的形成通过一个台阶边缘成核过程进行。为了解释这些岛屿的无位错的性质，我们认为在位错滑移作为表面取向和应变的符号的函数的模型的上下文中的应变释放的动力学。
We report the growth of tensile strained GaP islands on a GaAs(110) surface. Three-dimensional island formation proceeds via a step-edge nucleation process. To explain the dislocation-free nature of these islands, we consider the kinetics of strain relief within the context of a model for dislocation glide as a function of surface orientation and sign of strain.