多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制
多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制
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通过使用多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
末光哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小林健悟;畠山信也;吉田智洋;矢部裕平;D. Piedra;T. Palacios;尾辻泰一;末光哲也
