单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC的常温辐照肿胀差异性
单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC的常温辐照肿胀差异性
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DOI：
10.7498/aps.66.066104
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
郭荣明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
臧航;黄智晟;李涛;郭荣明
SiC 具有耐辐射、低感生放射性、耐高温等特点, 在先进核能系统中具有重要的应用. 用1.5 MeV 的Si离子在常温下注入单晶六方SiC 和多晶化学气相沉积SiC, 注量分别为11014—21016 cm2 和11015—21016cm2, 利用X 射线衍射(XRD) 仪和白光干涉仪测量材料的晶格常数和辐照肿胀随着注量增大的变化规律. 结果显示, 在1.5 MeV Si 离子常温辐照下, 注量达到21015 cm2 时, 单晶六方SiC 完全非晶化; 注量在11015—51015 cm2, 单晶六方SiC 的辐照肿胀明显高于多晶化学气相沉积SiC 的辐照肿胀; 注量达到11016cm2 时, 单晶六方SiC 和多晶化学气相沉积SiC 的辐照肿胀达到饱和并趋于一致, 肿胀结果表明常温辐照环境下多晶化学气相沉积SiC 的非晶化阈值剂量大于单晶六方SiC. 通过分析单晶六方SiC 和多晶化学气相沉积SiC 常温辐照肿胀差异的原因, 研究了晶界对SiC 材料非晶化肿胀规律的影响, 并对XRD 辐照肿胀测量方法的适用范围进行了讨论..