Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)

Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
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InGaAs/InAlAs五层不对称耦合量子阱(FACQW)的电吸收特性

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Extended abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006)
影响因子：
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通讯作者：
K.Tada
K.Tada
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T.Arakawa;K.Takimoto;S.Miyazaki;K.Yamaguchi;N.Haneji;J.-H.Noh;K.Tada

文献摘要

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