Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials
Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials
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半导体材料的稀土和过渡金属掺杂
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.M. Zavada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Dierolf;I.T. Ferguson;J.M. Zavada
