Origin of the difference between high resistive and low resistive structures for interfacial phase change memories based on GeTe/Sb2Te3 superlattice
Origin of the difference between high resistive and low resistive structures for interfacial phase change memories based on GeTe/Sb2Te3 superlattice
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基于GeTe/Sb2Te3超晶格的界面相变存储器高阻和低阻结构差异的根源
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Shirakawa;M. Araidai;K. Shiraishi
