単一InAs自己形成量子ドットにおけるg因子の異方性とその電気的制御
単一InAs自己形成量子ドットにおけるg因子の異方性とその電気的制御
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单InAs自组装量子点g因子各向异性及其电学控制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高橋駿
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Kanai;R.S.Deacon;S.Takahashi;A.Oiwa;K.Yoshida;K.Shibata;K.Hirakawa;Y.Tokura;S.Tarucha;S.Takahashi;高橋駿
