The impact of inserted Ta ultra-thin layer on the resistive switching voltage in Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si devices
The impact of inserted Ta ultra-thin layer on the resistive switching voltage in Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si devices
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插入Ta超薄层对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si器件阻变电压的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Akinaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Asanuma;H. Shima;M. Yamazaki;K. Hayama;N. Hata;H. Akinaga
