Simulation of new p-type strip detectors with trench to enhance the charge multiplication effect in the n-type electrodes
Simulation of new p-type strip detectors with trench to enhance the charge multiplication effect in the n-type electrodes
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模拟带有沟槽的新型 p 型带状探测器，以增强 n 型电极中的电荷倍增效应
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Casse
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Fernandez;G. Pellegrini;J. Balbuena;D. Quirion;S. Hidalgo;D. Flores;M. Lozano;G. Casse
