{310} faceting of the Ge(001) 2 × 1 surface induced by indium
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DOI：
10.1016/0039-6028(95)00661-3
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发表时间：
1995-09
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
Z. Gai;H. Ji;Yi He;Chuansheng Hu;R. Zhao;W. Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Gai;H. Ji;Yi He;Chuansheng Hu;R. Zhao;W. Yang
