Distinctive Feature of Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant
Distinctive Feature of Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant
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Bi作为表面活性剂的InGaAs量子点外延生长中断过程中成熟的显着特征
DOI：
10.1143/jjap.50.06gh07
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okamoto;T. Tawara;T. Tateno;H. Gotoh;H. Kamada;and T. Sogawa
