GROWTH AND CHARACTERIZATION OF SI1-XGEX AND GE EPILAYERS ON (100) SI

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DOI:
10.1063/1.340312
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发表时间:
1988-06-15
影响因子:
3.2
通讯作者:
DENHOFF, MW
DENHOFF, MW
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
BARIBEAU, JM;JACKMAN, TE;DENHOFF, MW

文献摘要

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