Soft-Error in SRAM at Ultra-Low Voltage and Impact of Secondary Proton in Terrestrial Environment
Soft-Error in SRAM at Ultra-Low Voltage and Impact of Secondary Proton in Terrestrial Environment
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超低电压下SRAM的软错误以及陆地环境中二次质子的影响
DOI：
10.1109/tns.2013.2291274
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发表时间：
2013
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Hashimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Uemura;T. Kato;H. Matsuyama;M. Hashimoto
本文介绍了在超低电压（低至 0.19 V）下通过中子和 α 辐照测试以及在 SRAM 中进行仿真的软错误测量结果。0.19 V 时的软错误率比 1.0 V 时高两个数量级。仿真支持的测量结果表明，核反应与中子碰撞产生的二次质子的直接电离导致陆地环境中超低电压下 SRAM 软错误率的急剧增加。
This paper presents soft-error measurement results through neutron and alpha irradiation tests and simulation in SRAM at ultra-low voltages, down to 0.19 V. Soft-error-rate at 0.19 V is higher than at 1.0 V by two orders of magnitude. This measurement result supported by simulation clarifies that direct ionization from secondary protons generated by nuclear reaction with neutron collision contribute to a dramatic increase in SRAM soft-error-rate at ultra-low voltages in terrestrial environment.
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影响因子：
1.5
作者：
Y. Iwamoto;M. Fukuda;他
通讯作者：
他