Characterization of a-Si/c-Si Junctions by Electron Holography
Characterization of a-Si/c-Si Junctions by Electron Holography
复制标题
通过电子全息术表征 a-Si/c-Si 结
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Deguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Yamaguchi;J.Mizusaki;T.Maruyama;H.Yugami;M. Deguchi
