MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with nitrogen
MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with nitrogen
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预注入氮的n型4H-SiC湿法氧化得到的MOS电容器
DOI：
10.1016/j.mee.2007.01.241
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Nipoti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Poggi;F. Moscatelli;Y. Hijikata;S. Solmi;R. Nipoti
