Nonvolatile SRAM Using Fishbone-in-Cage Capacitor in a 180 nm Standard CMOS Process for Zero-standby and Instant-powerup Embedded Memory on IoT
Nonvolatile SRAM Using Fishbone-in-Cage Capacitor in a 180 nm Standard CMOS Process for Zero-standby and Instant-powerup Embedded Memory on IoT
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非易失性 SRAM 在 180 nm 标准 CMOS 工艺中使用鱼骨笼电容器，实现物联网上的零待机和即时通电嵌入式存储器
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kazutoshi Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaki Urabe;Hiroyuki Ochi;and Kazutoshi Kobayashi
