Dynamic intrinsic chip ID using 32nm high-K/metal gate SOI embedded DRAM
Dynamic intrinsic chip ID using 32nm high-K/metal gate SOI embedded DRAM
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使用 32nm 高 K/金属栅 SOI 嵌入式 DRAM 的动态内在芯片 ID
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Iyer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Fainstein;S. Rosenblatt;A. Cestero;N. Robson;T. Kirihata;S. Iyer
在32nm SOI嵌入式DRAM中，随机固有芯片ID方法利用保留故障生成一对4Kb二进制字符串。硬件测试结果表明，ID重叠距离均值为0.58,σ=0.76，对346个芯片进行了100%的认证。解析模型预测>；106个部件的99.999%唯一id。
A random intrinsic chip ID method generates a pair of 4Kb binary strings using retention fails in 32nm SOI embedded DRAM. Hardware results show ID overlap distance mean=0.58 and σ=0.76 and demonstrate 100% authentication for 346 chips. The analytical model predicts >; 99.999% unique IDs for 106 parts.