高いT1エネルギー準位をもつペンタレンジオン基盤シングレットフィション材料の開発．
高いT1エネルギー準位をもつペンタレンジオン基盤シングレットフィション材料の開発．
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开发高T1能级五烯二酮基单线态裂变材料。
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長岡朋希，松井康哲，大垣拓也，太田英輔，池田浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Vishal Kumar Rawat;Kosuke Higashida;Masaya Sawamura;長岡朋希，松井康哲，大垣拓也，太田英輔，池田浩
