(5-1)-bilayer-height step-and-terrace structures formed on 4H-SiC (0001) Si-face by high-temperature Pas etching
(5-1)-bilayer-height step-and-terrace structures formed on 4H-SiC (0001) Si-face by high-temperature Pas etching
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通过高温Pas刻蚀在4H-SiC（0001）Si面上形成（5-1）双层高度阶梯平台结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Suda;T.Kimoto;J.Suda
