A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H–SiC
A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H–SiC
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邻位6H-SiC上少层外延石墨烯生长过程的拉曼成像研究
DOI：
10.1016/j.diamond.2012.02.017
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发表时间：
2012
影响因子：
4.1
通讯作者：
S. Kamoi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
若本恵佑;中川俊一郎;瀬木利夫;青木学聡，松尾二郎;S. Kamoi
