GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
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衬底极性对 GaN 自支撑衬底上 InN 氢化物气相生长的影响
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
富樫理恵
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naoto Fujita;Ryota Imai;Rie Togashi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;and Akinori Koukitu;藤井努,石山武,石井佑弥,福田光男;尾崎信彦;K. Tadaand M. Onoda;富樫理恵
