中嶋堅志郎: "SiC半導体基板のレーザープロセス"応用物理. 70巻2号. 188-190 (2001)
中嶋堅志郎: "SiC半導体基板のレーザープロセス"応用物理. 70巻2号. 188-190 (2001)
复制标题
Kenshiro Nakajima:“SiC 半导体衬底的激光加工”,《应用物理学》第 70 卷,第 2 期,188-190(2001 年)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: