Study of the Formation Mechanism of Cu/Ge/Pd Ohmic Contact to n-Type InGaAs
Study of the Formation Mechanism of Cu/Ge/Pd Ohmic Contact to n-Type InGaAs
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n型InGaAs Cu/Ge/Pd欧姆接触形成机理研究
DOI：
10.1007/s11664-010-1410-2
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发表时间：
2011
影响因子：
2.1
通讯作者：
E. Chang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Lin;Sheng;Tin;Y. Wong;K. Chen;E. Chang
