Hiroya Ikeda, Yasuyuki Nakagawa, Shigeaki Zaima, Yoshihiro Ishibashi, Yukio Yasuda: "Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces analyzed using a random sequential adsorption model"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 3422-3425 (1999)
Hiroya Ikeda, Yasuyuki Nakagawa, Shigeaki Zaima, Yoshihiro Ishibashi, Yukio Yasuda: "Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces analyzed using a random sequential adsorption model"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 3422-3425 (1999)
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Hiroya Ikeda、Yasuyuki Nakakawa、Shigeaki Zaima、Yoshihiro Ishibashi、Yukio Yasuda：“使用随机顺序吸附模型分析 H 封端 Si(100) 表面的初始氧化过程”Jpn。
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