Raman characterization of boron-doped {111} homoepitaxial diamond layers
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DOI：
10.1016/j.diamond.2005.11.035
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发表时间：
2006-04
影响因子：
4.1
通讯作者：
M. Mermoux;F. Jomard;C. Tavarès;F. Omnès;É. Bustarret
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Mermoux;F. Jomard;C. Tavarès;F. Omnès;É. Bustarret
