High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)
High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)
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高性能Ge MOS器件技术（受邀）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takagi
