Three-valued Magnetic Tunnel Junction for Non-volatile Ternary Content Addressable Memory Application
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用于非易失性三元内容可寻址存储器应用的三值磁隧道结
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Uemura and M. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Taira;T. Ishikawa;N. Itabashi;K.-i. Matsuda;T. Uemura;and M. Yamamoto;K.-i. Matsuda;T. Taira;S. Ouardi;T. Ishikawa;T. Ishikawa;T. Taira;T. Uemura and M. Yamamoto
