Three-Dimensional Mechanistic Modeling of Gate Leakage Current in High-κ MOSFETs
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DOI：
10.1103/physrevapplied.13.024020
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Luo Junwei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu Feilong;Liu Yueyang;Li Ling;Zhou Guofu;Jiang Xiangwei;Luo Junwei
