IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計
IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計
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IIB-9 SiC van der Pauw 和霍尔杆元件的优化设计
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
畠山 哲夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
守山 遼;岡本 大;畠山 哲夫
