Optimization of Ar-diluted N_2 electron cyclotron resonance plasma for high-quality SiN film growth at low temperature
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低温高质量SiN薄膜Ar稀释N_2电子回旋共振等离子体优化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.H.Luu;L.Zhao;D.Wang;Y.Sugimoto;K.Ikeda;H.Nakashima;H.Nakashima
