Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
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金属/氧化物界面处增强的缺陷形成及其在阻变存储器件中的应用
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;and Y. Takahashi
