窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性
窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性
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利用氮掺杂 LaB6 界面控制层控制阈值电压的并五苯伪 CMOS 的沉积温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大見 俊一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
前田 康貴;朴 鏡恩;小松 勇貴;大見 俊一郎
