Epitaxial ZnO Layer Growth on Si(111) Substrates with an Intermediate AlN Nucleation Layer by Methane-Based Chemical Vapor Deposition

Epitaxial ZnO Layer Growth on Si(111) Substrates with an Intermediate AlN Nucleation Layer by Methane-Based Chemical Vapor Deposition
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DOI：
10.1021/acs.cgd.0c00907
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发表时间：
2020-08
期刊：
Crystal Growth & Design
影响因子：
3.8
通讯作者：
R. Müller;Okan Gelme;Jan-Patrick Scholz;Florian Huber;Manuel Mundszinger;Yueliang Li;M. Madel;A. Minkow;U. Kaiser;U. Herr;K. Thonke
R. Müller;Okan Gelme;Jan-Patrick Scholz;Florian Huber;Manuel Mundszinger;Yueliang Li;M. Madel;A. Minkow;U. Kaiser;U. Herr;K. Thonke
中科院分区：
化学2区
文献类型：
--
作者：
R. Müller;Okan Gelme;Jan-Patrick Scholz;Florian Huber;Manuel Mundszinger;Yueliang Li;M. Madel;A. Minkow;U. Kaiser;U. Herr;K. Thonke

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