アルファ線を利用したトータルドーズ効果によるSiC MOSFETの劣化測定
アルファ線を利用したトータルドーズ効果によるSiC MOSFETの劣化測定
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使用 α 射线测量 SiC MOSFET 由于总剂量效应引起的劣化
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林和淑
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古田潤;小林和淑
