H.Shindo,: "Silicon Oxidation-Depth Enhancement Employing Negative Ion under Transformer Coupled RF Bias"Proc.46th Symposium of American Vacuum Society, Sheatle, U.S.A.,. 50-51 (1999)
H.Shindo,: "Silicon Oxidation-Depth Enhancement Employing Negative Ion under Transformer Coupled RF Bias"Proc.46th Symposium of American Vacuum Society, Sheatle, U.S.A.,. 50-51 (1999)
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H.Shindo，：“在变压器耦合射频偏压下采用负离子进行硅氧化深度增强”，美国真空学会第 46 届研讨会，美国希特尔。
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