Bound Exciton States of Isoelectronic Centers in GaAs : N Grown by an Atomically Controlled Doping Technique
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GaAs 中等电子中心的束缚激子态：通过原子控制掺杂技术生长的 N
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kita;T.Inoue;O.Wada;M Konno;T.Yaguchi;T.Kamino;Y.Harada;T.Kita;H.Yanagi;T.Kita
