Strong Non-Epitaxial Interactions: Crystallographically Aligned PbSe on VSe 2
Strong Non-Epitaxial Interactions: Crystallographically Aligned PbSe on VSe 2
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强非外延相互作用：VSe 2 上晶体排列的 PbSe
DOI：
10.1002/pssa.201800896
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Johnson, David C.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cordova, Dmitri L.;Kam, Taryn M.;Fender, Shannon S.;Tsai, Yu Hsin;Johnson, David C.
通过在VSe2薄膜上制备PbSe、VSe2、[(PbSe)1.11]1(VSe2)1和PbSe，研究了岩盐化合物PbSe与二盐化合物VSe2表面的相互作用。PbSe前驱体沉积在SiO_2上形成具有随机取向的PbSe晶体的粗糙膜。沉积在二氧化硅表面的VSe2前驱体形成晶体取向的薄膜。沉积在二氧化硅上的亚稳错配层化合物[(PbSe)1.11]1(VSe2)1的前驱体形成了结晶学取向的薄膜。沉积在VSe2上的PbSe前驱体与沉积在SiO_2上的PbSe在结晶学上是非常一致的。这反映了PbSe和VSe2在界面上的强烈相互作用。结果表明，比较预期成分在二氧化硅上的前驱体薄膜的结晶排列程度与将它们彼此沉积在一起可能是一种简单的测试，以表明两种成分之间是否会形成不匹配的层状化合物。
The interaction between a rock salt compound, PbSe, and the surface of a dichalcogenide (VSe2) is probed by making PbSe, VSe2, [(PbSe)1.11]1(VSe2)1and PbSe on VSe2films. PbSe precursors deposited on SiO2form rough films with randomly oriented PbSe crystallites. VSe2precursors deposited on a SiO2surface form crystallographically aligned films. The precursor to the metastable misfit layer compound [(PbSe)1.11]1(VSe2)1deposited on SiO2forms a crystallographically aligned film. PbSe precursors deposited on VSe2are very crystallographically aligned relative to PbSe deposited on SiO2. This reflects the strong interaction between PbSe and VSe2at the interface. The results suggest that comparing the degree of crystallographic alignment of films of precursors of prospective constituents on SiO2relative to depositing them on each other may be a simple test to show if a misfit layer compound will form between the two constituents.