SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性
SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性
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SiC 功率 MOSFET 中重离子感应电荷收集的器件结构依赖性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島 武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高野修平;牧野 高紘;原田 信介;児島 一聡;土方 泰斗;大島 武
