K.Ishikawa,R.Kobayashi,S.Narahara & F.Hasegawa: "Epitaxial Growth of GaAs at One to Vwo Monolayers per Cycle by Alternate Supply of GaCl_3 and AsH_3" Japan.J.Appl.Phys.31. 1716-1720 (1992)
K.Ishikawa,R.Kobayashi,S.Narahara & F.Hasegawa: "Epitaxial Growth of GaAs at One to Vwo Monolayers per Cycle by Alternate Supply of GaCl_3 and AsH_3" Japan.J.Appl.Phys.31. 1716-1720 (1992)
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K.石川、R.小林、S.奈良原
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