結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程
結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程
复制标题
不同晶面4H-SiC MOS界面Ar退火脱附N原子的过程
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
佐俣勇祐，喜多浩之
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
藤田 拓実;相場 遥佳;西川 雅美;野中 尋史;石橋 隆幸;河原 正美;中嶋 智彦;土屋 哲男;佐俣勇祐，喜多浩之
