SiC MOSFET のホットスポット温度予測手法の検討 - ドレイン電圧と冷却面温度の影響
SiC MOSFET のホットスポット温度予測手法の検討 - ドレイン電圧と冷却面温度の影響
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SiC MOSFET热点温度预测方法研究——漏极电压和冷却表面温度的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石塚 勝
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小西太一;木伏 理沙子;畠山友行;石塚 勝
