Lattice displacement and electrical property of Li-ion implanted GaN single crystal

Lattice displacement and electrical property of Li-ion implanted GaN single crystal
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锂离子注入GaN单晶的晶格位移和电学性能

DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
T. Nakamura
T. Nakamura
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Y. Torita;K. Kushida;T. Nishimura;K. Kuriyama; T. Nakamura

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