2.4kV GaN Polarization Superjunction Schottky Barrier Diodes on semi-insulating 6H-SiC substrate

2.4kV GaN Polarization Superjunction Schottky Barrier Diodes on semi-insulating 6H-SiC substrate
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DOI：
10.1109/ispsd.2014.6856022
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发表时间：
2014-06
期刊：
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子：
--
通讯作者：
V. Unni;H. Long;M. Sweet;A. Balachandran;E. Narayanan;A. Nakajima;H. Kawai
V. Unni;H. Long;M. Sweet;A. Balachandran;E. Narayanan;A. Nakajima;H. Kawai
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
V. Unni;H. Long;M. Sweet;A. Balachandran;E. Narayanan;A. Nakajima;H. Kawai

文献摘要

被引文献

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本文首次报道了在半绝缘6 H-SiC衬底上制作的高压极化超结GaN肖特基势垒二极管（SBD）的性能和电学特性。所制备的漂移长度为25 μm的PSJ SBD具有约0.4V的低开启电压、约2400 V的高反向阻断电压（VBR）、约14 mΩ. cm 2的比通态电阻（RON. A）和约400 MW/cm 2的功率器件品质因数（PDFOM = VBR 2/RON. A）。
This paper reports the performance and electrical characterization results of high voltage Polarization Superjunction (PSJ) GaN Schottky Barrier Diodes (SBD) on semi-insulating 6H-SiC substrate for the first time. Fabricated PSJ SBDs with drift length of 25 μm show low on-set voltage of ~ 0.4V, high reverse blocking voltage (VBR) of ~ 2400V, specific on-state resistance (RON.A) of ~ 14 mΩ.cm2 and a Power Device Figure of Merit (PDFOM = VBR2/RON.A) of ~ 400 MW/cm2.