Performance improvement of InGaN-based laser grown on Si by suppressing point defects
Performance improvement of InGaN-based laser grown on Si by suppressing point defects
复制标题
通过抑制点缺陷提高在 Si 上生长的 InGaN 基激光器的性能
DOI：
10.1364/oe.27.025955
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu Jianxun;Wang Jin;Sun Xiujian;Sun Qian;Feng Meixin;Ge Xiaotian;Ning Jiqiang;Zhou Rui;Zhou Yu;Gao Hongwei;Ikeda Masao;Yang Hui
