InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
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InSb 基 HEMT，频率超过 300 GHz-fT，使用 Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb 阶梯缓冲层减少应变
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. I. Fujishiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
