Recombination Rates of In x Ga 1−x N/Al y Ga 1−y N/GaN Multiple Quantum Wells Emitting From 640 to 565 nm
Recombination Rates of In x Ga 1−x N/Al y Ga 1−y N/GaN Multiple Quantum Wells Emitting From 640 to 565 nm
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In x Ga 1-x N/Al y Ga 1-y N/GaN 多量子阱发射波长 640 至 565 nm 的复合率
DOI：
10.1109/jqe.2021.3111402
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发表时间：
2021
影响因子：
2.5
通讯作者：
Wierer, Jonathan J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Muyeed, Syed Ahmed;Borovac, Damir;Xue, Haotian;Wei, Xiongliang;Song, Renbo;Tansu, Nelson;Wierer, Jonathan J.
