A 10 Gb/s burst-mode CDR IC in 0.13 /spl mu/m CMOS

A 10 Gb/s burst-mode CDR IC in 0.13 /spl mu/m CMOS
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采用 0.13 /spl mu/m CMOS 的 10 Gb/s 突发模式 CDR IC

DOI：
10.1109/isscc.2005.1493952
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发表时间：
2005
期刊：
ISSCC. 2005 IEEE International Digest of Technical Papers. Solid-State Circuits Conference, 2005.
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Ohtomo
Y. Ohtomo
中科院分区：
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文献类型：
--
作者：
M. Nogawa;K. Nishimura;S. Kimura;T. Yoshida;T. Kawamura;M. Togashi;K. Kumozaki;Y. Ohtomo

文献摘要

被引文献

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采用0.13/SPL MU/m的工艺制作了10 Gb/S突发模式时钟与数据恢复集成电路，其速度比以往的突发模式集成电路快8倍。它通过边沿检测技术放大交流耦合的输入脉冲，并使用门控振荡器提取5个UI内的时钟。在2.5 V电源下，它的功耗为1.2 W。
A 10 Gb/s burst-mode CDR (clock and data recovery) IC, that is eight times faster than previous burst-mode ICs, is fabricated in a 0.13 /spl mu/m CMOS process. It amplifies an AC-coupled input burst by means of an edge detection technique, and extracts a clock within 5 UIs with a gated oscillator. It consumes 1.2 W from a 2.5 V supply.