Y.Nakamura,S.Koshiba,M.Tsuchiya and H.Sakaki: "Enhanced crystallographic selectivity in molecular beam epitaxial growth of GaAs on mesas and fabrication of(001)ー(111)B facet structures foredge quantum wires" Applied Physics Letters. 59. 280-283 (1991)
Y.Nakamura,S.Koshiba,M.Tsuchiya and H.Sakaki: "Enhanced crystallographic selectivity in molecular beam epitaxial growth of GaAs on mesas and fabrication of(001)ー(111)B facet structures foredge quantum wires" Applied Physics Letters. 59. 280-283 (1991)
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Y. Nakamura、S. Koshiba、M. Tsuchiya 和 H. Sakaki：“增强台面上 GaAs 分子束外延生长的晶体学选择性以及边缘量子线的 (001)ー(111)B 面结构的制造”《应用物理快报》 . 59. 280-283 (1991)
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