Fabrication of High-Thermal-Stability GaN/Diamond Junctions via Intermediate Layers
Fabrication of High-Thermal-Stability GaN/Diamond Junctions via Intermediate Layers
复制标题
通过中间层制造高热稳定性 GaN/金刚石结
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuyoshi Nagai and Naoteru Shigekawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jianbo Liang;Yutaka Ohno;Yasuo Shimizu;Yasuyoshi Nagai and Naoteru Shigekawa
