USE OF A SCHOTTKY-BARRIER TO MEASURE IMPACT IONIZATION COEFFICIENTS IN SEMICONDUCTORS

USE OF A SCHOTTKY-BARRIER TO MEASURE IMPACT IONIZATION COEFFICIENTS IN SEMICONDUCTORS
复制标题

DOI:
10.1016/0038-1101(73)90013-0
复制
发表时间:
1973-01-01
影响因子:
1.7
通讯作者:
LAMPERT, MA
LAMPERT, MA
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
WOODS, MH;JOHNSON, WC;LAMPERT, MA

文献摘要

被引文献

相似文献